KS-S300-E 单片湿法刻蚀机
满足半导体制造中湿法刻蚀工艺，单片加工，适用于SiO2，SiN，Polysilicon和各种金属层的刻蚀，清洗和去胶等工艺流程。
1.采用独特的夹持技术，在夹持硅片的同时，硅片的另一面被气体有效的保护，不被化学液所污染.
2.利用位置、速度可控的摆臂喷洒化学液，可以有效的提高刻蚀均匀性.
3.分层式反应腔体设计，可以在同一腔体中喷洒多种化学液，并能有效回收，节约化学液.
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满足半导体制造中湿法刻蚀工艺，单片加工，适用于SiO2，SiN，Polysilicon和各种金属层的刻蚀，清洗和去胶等工艺流程。
1.采用独特的夹持技术，在夹持硅片的同时，硅片的另一面被气体有效的保护，不被化学液所污染.
2.利用位置、速度可控的摆臂喷洒化学液，可以有效的提高刻蚀均匀性.
3.分层式反应腔体设计，可以在同一腔体中喷洒多种化学液，并能有效回收，节约化学液.
